Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Semua
  • Semua
  • Tajuk
Bahasa

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

 [Guangdong,China]

Jenis perniagaan:pengeluar , Syarikat perdagangan

Penerangan:Memori DDR4 8GB,Modul memori DDR4 8GB,8GB 2666MHz 288-pin DDR4 udimm

HomeProduk-produkAksesori Modul Pintar PerindustrianSpesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
  • Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
  • Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
  • Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
  • Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
  • Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM

Spesifikasi modul memori DDR4 UDIMM

Jenis bayaran:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,CIF,EXW
Pesanan minimum:
1 Piece/Pieces
Pengangkutan:
Ocean,Land,Air,Express
Hubungi sekarang
Share:
Sembang sekarang
  • Penerangan produk
< >
Overview
Atribut Produk

Model No.: NS08GU4E8

Membekalkan Keupayaan & Maklumat Tambaha...

Pengangkutan: Ocean,Land,Air,Express

Jenis bayaran: L/C,T/T,D/A

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan:
Piece/Pieces

8GB 2666MHz 288-pin DDR4 udimm



Sejarah Semakan

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

Jadual maklumat pesanan

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS08GU4E8

8GB

2666MHz

1Gx64bit

DDR4 1Gx8 *8



Penerangan
Hengstar Unbuffered DDR4 SDRAM DIMMS (Rate Double Data Double Segrronous DRAM DUAL DURAN DUNI DUNIA MODUL IN-LINE) adalah kuasa rendah, modul memori operasi berkelajuan tinggi yang menggunakan peranti DDR4 SDRAM. NS08GU4E8 adalah 1g x 64-bit One Rank 8GB DDR4-2666 CL19 1.2V SDRAM Produk Dimm Unbuffered, berdasarkan lapan 1g x 8-bit komponen FBGA. SPD diprogramkan kepada latency standard JEDEC DDR4-2666 masa 19-19-19 pada 1.2V. Setiap 288-pin DIMM menggunakan jari sentuhan emas. SDRAM Unbuffered DIMM bertujuan untuk digunakan sebagai memori utama apabila dipasang dalam sistem seperti PC dan stesen kerja.

ciri-ciri
 Kuasa Bekalan: VDD = 1.2V (1.14V hingga 1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V hingga 1.26V)
VPP - 2.5V (2.375V hingga 2.75V)
VDDSPD = 2.25V hingga 3.6V
Nominal dan dinamik penamatan di-mati (ODT) untuk isyarat data, strob, dan topeng
 REFRESH SENDIRI AUTO-POWER (LPASR)
Data Bus Inversion (DBI) untuk bas data
Ine-Die Generasi dan Penentukuran VREFDQ
on-board I2C Serial Kehadiran (SPD) EEPROM
16 Bank Dalaman; 4 kumpulan 4 bank masing -masing
 CHOP BURST (BC) dari 4 dan panjang pecah (BL) 8 melalui set daftar mod (MRS)
 Selectable BC4 atau BL8 On-the-Fly (OTF)
Databus Tulis Cek Redundancy Cyclic (CRC)
Mperature Refresh dikawal (TCR)
 Komando/alamat (CA) pariti
bility dRAM yang disokong disokong
8 bit pre-fetch
Fly-by Topology
 Komando/alamat latensi (Cal)
 Perintah kawalan dan alamat Bas Alamat
PCB: Ketinggian 1.23 "(31.25mm)
 Kenalan kelebihan
Rohs mematuhi dan bebas halogen


Parameter masa utama

MT/s

tCK
(ns)

CAS Latency
(tCK)

tRCD
(ns)

tRP
(ns)

tRAS
(ns)

tRC
(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR4-2666

0.75

19

14.25

14.25

32

46.25

19-19-19

Jadual Alamat

Configuration

Number of
bank groups

Bank Group
Address

Bank
Address

Row Address

Column
Address

Page size

8GB(1Rx8)

4

BG0-BG1

BA0-BA1

A0-A15

A0-A9

1 KB



Rajah blok fungsional

Modul 8GB, 1GX64 (1rank x8)

2-1

Catatan:
1. Nilai -nilai lain yang dinyatakan, nilai perintang adalah 15Ω ± 5%.
2. Resistorz adalah 240Ω ± 1%. Untuk semua nilai perintang lain merujuk kepada gambarajah pendawaian yang sesuai.
3.Event_n berwayar pada reka bentuk ini. SPD mandiri boleh digunakan juga. Tiada perubahan pendawaian diperlukan.

Penilaian maksimum mutlak

Penilaian maksimum maksimum DC

Symbol

Parameter

Rating

Units

NOTE

VDD

Voltage on VDD pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VDDQ

Voltage on VDDQ pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VPP

Voltage on VPP pin relative to VSS

-0.3 ~ 3.0

V

4

VIN, VOUT

Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3,5

TSTG

Storage Temperature

-55 to +100

°C

1,2

Catatan:
1. Menekan lebih besar daripada yang disenaraikan di bawah "Penilaian Maksimum Mutlak" boleh menyebabkan kerosakan kekal pada peranti.
Ini adalah penarafan tekanan sahaja dan operasi fungsi peranti pada ini atau apa -apa syarat lain di atas yang ditunjukkan dalam bahagian operasi spesifikasi ini tidak tersirat. Pendedahan kepada keadaan penarafan maksimum mutlak untuk tempoh yang panjang boleh menjejaskan kebolehpercayaan.
2. Suhu Penyepaduan adalah suhu permukaan kes di bahagian tengah/bahagian atas dram. Untuk keadaan pengukuran, sila rujuk standard JESD51-2.
3.VDD dan VDDQ mestilah dalam 300mv antara satu sama lain pada setiap masa; dan VREFCA mestilah tidak lebih besar daripada 0.6 x VDDQ, apabila VDD dan VDDQ kurang daripada 500mV; VREFCA mungkin sama dengan atau kurang daripada 300mV.
4.VPP mestilah sama atau lebih besar daripada VDD/VDDQ pada setiap masa.
5. Kawasan Overshoot di atas 1.5V ditentukan dalam operasi peranti DDR4 .

Julat suhu operasi komponen dram

Symbol

Parameter

Rating

Units

Notes

TOPER

Normal Operating Temperature Range

0 to 85

°C

1,2

Extended Temperature Range

85 to 95

°C

1,3

Nota:
1. Pengendalian suhu operasi adalah suhu permukaan kes di bahagian tengah / bahagian atas dram. Untuk keadaan pengukuran, sila rujuk kepada dokumen JEDEC JESD51-2.
2. Julat suhu normal menentukan suhu di mana semua spesifikasi DRAM akan disokong. Semasa operasi, suhu kes DRAM mesti dikekalkan antara 0 - 85 ° C di bawah semua keadaan operasi.
3. Sesuai aplikasi memerlukan operasi DRAM dalam julat suhu lanjutan antara suhu kes 85 ° C dan 95 ° C. Spesifikasi penuh dijamin dalam julat ini, tetapi syarat -syarat tambahan berikut dikenakan:
a). Perintah refresh mestilah dua kali ganda dalam kekerapan, oleh itu mengurangkan trefi selang refresh kepada 3.9 μs. Ia juga mungkin untuk menentukan komponen dengan 1x refresh (TREFI hingga 7.8μs) dalam julat suhu lanjutan. Sila rujuk SPD DIMM untuk ketersediaan pilihan.
b). Sekiranya operasi semula sendiri diperlukan dalam julat suhu yang dilanjutkan, maka wajib sama ada menggunakan mod refresh diri manual dengan keupayaan julat suhu lanjutan (MR2 A6 = 0B dan MR2 A7 = 1B) atau membolehkan pilihan diri auto pilihan mod (MR2 A6 = 1B dan MR2 A7 = 0B).


Keadaan operasi AC & DC

Keadaan operasi DC yang disyorkan

Symbol

Parameter

Rating

Unit

NOTE

Min.

Typ.

Max.

VDD

Supply Voltage

1.14

1.2

1.26

V

1,2,3

VDDQ

Supply Voltage for Output

1.14

1.2

1.26

V

VPP

Supply Voltage for DRAM Activating

2.375

2.5

2.75

V

3

Nota:
1. Dilancarkan semua syarat VDDQ mestilah kurang daripada atau sama dengan VDD.
2.VDDQ trek dengan VDD. Parameter AC diukur dengan VDD dan VDDQ diikat bersama.
Bandwidth 3.DC terhad kepada 20MHz.

Dimensi modul

Pandangan hadapan

2-2

Pandangan belakang

2-3

Nota:
1.Semua dimensi berada dalam milimeter (inci); Max/min atau tipikal (typ) di mana dinyatakan.
2.Toolance pada semua dimensi ± 0.15mm melainkan dinyatakan sebaliknya.
3. Gambar rajah dimensi hanya untuk rujukan.

Kategori produk : Aksesori Modul Pintar Perindustrian

Produk panas
E-mel kepada pembekal ini
  • *Subjek:
  • *Untuk:
    Mr. Jummary
  • *E-mel:
  • *Mesej:
    Mesej anda mestilah antara watak-watak 20-8000
Contact Now
HomeProduk-produkAksesori Modul Pintar PerindustrianSpesifikasi modul memori DDR4 UDIMM
Hantar pertanyaan
*
*

Rumah

Product

Phone

Tentang kita

Siasatan
Send Message

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Muat naik lampiran
Menghantar